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TZMC33-GS18

TZMC33-GS18

僅供參考

型號 TZMC33-GS18
PNEDA編號 TZMC33-GS18
描述 DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZMC33-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZMC33-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZMC33-GS18, TZMC33-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 116.69 KB)
PDFTZMB8V2-GS18數據表 封面
TZMB8V2-GS18數據表 頁面 2 TZMB8V2-GS18數據表 頁面 3 TZMB8V2-GS18數據表 頁面 4 TZMB8V2-GS18數據表 頁面 5 TZMB8V2-GS18數據表 頁面 6 TZMB8V2-GS18數據表 頁面 7

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TZMC33-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 24V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

85 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

Mini MELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±2%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

70nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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公差

±10%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

4.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

17.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 16.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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