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TZX12C-TR

TZX12C-TR

僅供參考

型號 TZX12C-TR
PNEDA編號 TZX12C-TR
描述 DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TZX12C-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TZX12C-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TZX12C-TR, TZX12C-TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 101.72 KB)
PDFTZX36X-TAP數據表 封面
TZX36X-TAP數據表 頁面 2 TZX36X-TAP數據表 頁面 3 TZX36X-TAP數據表 頁面 4 TZX36X-TAP數據表 頁面 5 TZX36X-TAP數據表 頁面 6 TZX36X-TAP數據表 頁面 7

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TZX12C-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)35 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 9.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 49V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3V

公差

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功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800nA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 27V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10mA

工作溫度

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

35 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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阻抗(最大值)(閽zt)

125 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 39V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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