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UGB10GCT-E3/45

UGB10GCT-E3/45

僅供參考

型號 UGB10GCT-E3/45
PNEDA編號 UGB10GCT-E3-45
描述 DIODE ARRAY GP 400V 5A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGB10GCT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGB10GCT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
UGB10GCT-E3/45, UGB10GCT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 155.79 KB)
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UGB10GCT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

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安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

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二極管配置

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 60V

工作溫度-結點

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