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UGE1112AY4

UGE1112AY4

僅供參考

型號 UGE1112AY4
PNEDA編號 UGE1112AY4
描述 DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UGE1112AY4資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UGE1112AY4
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UGE1112AY4, UGE1112AY4數據表 (總頁數: 2, 大小: 57.68 KB)
PDFUGE1112AY4數據表 封面
UGE1112AY4數據表 頁面 2

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UGE1112AY4規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)8000V
電流-平均整流(Io)4.2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果6.25V @ 7A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 8000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱UGE
供應商設備包裝UGE
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

125µA @ 650V

電容@ Vr,F

325pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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SMB

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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