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UH10JT-E3/4W

UH10JT-E3/4W

僅供參考

型號 UH10JT-E3/4W
PNEDA編號 UH10JT-E3-4W
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UH10JT-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UH10JT-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UH10JT-E3/4W, UH10JT-E3/4W數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.63 KB)
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UH10JT-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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制造商

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

20pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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SQ-MELF, A

供應商設備包裝

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