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UH6PDHM3_A/I

UH6PDHM3_A/I

僅供參考

型號 UH6PDHM3_A/I
PNEDA編號 UH6PDHM3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UH6PDHM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UH6PDHM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
UH6PDHM3_A/I, UH6PDHM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 87.93 KB)
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UH6PDHM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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