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ULN2003ADR

ULN2003ADR

僅供參考

型號 ULN2003ADR
PNEDA編號 ULN2003ADR
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 1,671,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003ADR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003ADR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003ADR規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-963

供應商設備包裝

SOT-963

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制造商

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晶體管類型

4 NPN Darlington (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.75A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

16-PowerDIP (20x7.10)

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制造商

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-

晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

16-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

16-DIP

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

8.5GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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