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ULN2003ANE4

ULN2003ANE4

僅供參考

型號 ULN2003ANE4
PNEDA編號 ULN2003ANE4
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 35,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003ANE4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003ANE4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003ANE4規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PDIP

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

7V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V

功率-最大

50mW

頻率-過渡

4GHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-963

供應商設備包裝

SSSMini6-F1

UMZ1NT1

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

114MHz, 142MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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系列

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晶體管類型

8 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500µA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

-

工作溫度

-25°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

-

供應商設備包裝

18-DIP

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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