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ULN2003ANSRG4

ULN2003ANSRG4

僅供參考

型號 ULN2003ANSRG4
PNEDA編號 ULN2003ANSRG4
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003ANSRG4資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003ANSRG4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003ANSRG4規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝16-SOP

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

36V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

190MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

375mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

265MHz, 195MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

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