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ULN2003V12DR

ULN2003V12DR

僅供參考

型號 ULN2003V12DR
PNEDA編號 ULN2003V12DR
描述 IC DARL TRANS ARRAY 7CH 16SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 26,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003V12DR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003V12DR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003V12DR規格

制造商
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP Complementary Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

11V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

3.2GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

210mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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Surface Mount

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