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UM6J1NTN

UM6J1NTN

僅供參考

型號 UM6J1NTN
PNEDA編號 UM6J1NTN
描述 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 216,738
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UM6J1NTN資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UM6J1NTN
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UM6J1NTN規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 10V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

584pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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