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UMC5NTR

UMC5NTR

僅供參考

型號 UMC5NTR
PNEDA編號 UMC5NTR
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMC5NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMC5NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMC5NTR, UMC5NTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 106.96 KB)
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UMC5NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA, 100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms, 4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms, 10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝UMT5

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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2.2kOhms

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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