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UMD12NTR

UMD12NTR

僅供參考

型號 UMD12NTR
PNEDA編號 UMD12NTR
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 44,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMD12NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMD12NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMD12NTR, UMD12NTR數據表 (總頁數: 8, 大小: 600.5 KB)
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UMD12NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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功率-最大

300mW

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

150mW

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Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 12V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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100mA

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電阻-基本(R1)

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