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UMH6NTR

UMH6NTR

僅供參考

型號 UMH6NTR
PNEDA編號 UMH6NTR
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMH6NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMH6NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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UMH6NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 40V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

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制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

185MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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