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UMT2NTR

UMT2NTR

僅供參考

型號 UMT2NTR
PNEDA編號 UMT2NTR
描述 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 51,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMT2NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMT2NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
UMT2NTR, UMT2NTR數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,885.37 KB)
PDFEMT2T2R數據表 封面
EMT2T2R數據表 頁面 2 EMT2T2R數據表 頁面 3 EMT2T2R數據表 頁面 4 EMT2T2R數據表 頁面 5 EMT2T2R數據表 頁面 6 EMT2T2R數據表 頁面 7 EMT2T2R數據表 頁面 8 EMT2T2R數據表 頁面 9

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UMT2NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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2 PNP (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

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