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UMX1NTN

UMX1NTN

僅供參考

型號 UMX1NTN
PNEDA編號 UMX1NTN
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 130,476
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMX1NTN資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMX1NTN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
UMX1NTN, UMX1NTN數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,979.3 KB)
PDFIMX1T108數據表 封面
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UMX1NTN規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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