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UNR911NG0L

UNR911NG0L

僅供參考

型號 UNR911NG0L
PNEDA編號 UNR911NG0L
描述 TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UNR911NG0L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UNR911NG0L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
UNR911NG0L, UNR911NG0L數據表 (總頁數: 20, 大小: 618.76 KB)
PDFUNR911TG0L數據表 封面
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UNR911NG0L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡80MHz
功率-最大125mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝SSMini3-F3

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50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

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-

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 2mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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