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US1B-13

US1B-13

僅供參考

型號 US1B-13
PNEDA編號 US1B-13
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1B-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1B-13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1B-13, US1B-13數據表 (總頁數: 5, 大小: 172.66 KB)
PDFUS1K-13數據表 封面
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US1B-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F20pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 45V

電容@ Vr,F

5200pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 300V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 45A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

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