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US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

僅供參考

型號 US1M-E3/5AT
PNEDA編號 US1M-E3-5AT
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1M-E3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1M-E3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1M-E3/5AT, US1M-E3/5AT數據表 (總頁數: 5, 大小: 85.17 KB)
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US1M-E3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AD

供應商設備包裝

Hockey Puck

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

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