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US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

僅供參考

型號 US1MDFQ-13
PNEDA編號 US1MDFQ-13
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 236,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US1MDFQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US1MDFQ-13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
US1MDFQ-13, US1MDFQ-13數據表 (總頁數: 5, 大小: 408.8 KB)
PDFUS1JDFQ-13數據表 封面
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US1MDFQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝D-Flat
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.75V @ 800A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

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