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US6K2TR

US6K2TR

僅供參考

型號 US6K2TR
PNEDA編號 US6K2TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6K2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6K2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6K2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds70pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

505pF @ 20V

功率-最大

-

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1478pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

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