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US6T5TR

US6T5TR

僅供參考

型號 US6T5TR
PNEDA編號 US6T5TR
描述 TRANS PNP 30V 2A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6T5TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6T5TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
US6T5TR, US6T5TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 67.25 KB)
PDFUS6T5TR數據表 封面
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US6T5TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic370mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大400mW
頻率-過渡280MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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