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UT6K3TCR

UT6K3TCR

僅供參考

型號 UT6K3TCR
PNEDA編號 UT6K3TCR
描述 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 107,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UT6K3TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UT6K3TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UT6K3TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerUDFN
供應商設備包裝HUML2020L8

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 10V

功率-最大

710mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.4mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

960mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6696pF @ 25V

功率-最大

357W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

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