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UTV080

UTV080

僅供參考

型號 UTV080
PNEDA編號 UTV080
描述 RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UTV080資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UTV080
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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UTV080規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)28V
頻率-過渡470MHz ~ 860MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益9dB ~ 10dB
功率-最大65W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 500mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Channel, DIN Rail Mount
包裝/箱55JV
供應商設備包裝55JV

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 24dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

2SC5227A-5-TB-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

11GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.5dB

功率-最大

1450W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KT

供應商設備包裝

55KT

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