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UTV200

UTV200

僅供參考

型號 UTV200
PNEDA編號 UTV200
描述 RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UTV200資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UTV200
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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UTV200規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)28V
頻率-過渡470MHz ~ 860MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8.5dB ~ 9.5dB
功率-最大80W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55JV
供應商設備包裝55JV

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

13dB

功率-最大

60W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 7.5dB

功率-最大

1450W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

230°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55ST

供應商設備包裝

55ST

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

7.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10.5dB ~ 16.5dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SMT3

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

18.5dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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