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V10P10HE3/86A

V10P10HE3/86A

僅供參考

型號 V10P10HE3/86A
PNEDA編號 V10P10HE3-86A
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10P10HE3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10P10HE3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V10P10HE3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果680mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 45V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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