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V10P10HM3/86A

V10P10HM3/86A

僅供參考

型號 V10P10HM3/86A
PNEDA編號 V10P10HM3-86A
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10P10HM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10P10HM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V10P10HM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果680mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 800V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 200V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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