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V10P12HM3_A/I

V10P12HM3_A/I

僅供參考

型號 V10P12HM3_A/I
PNEDA編號 V10P12HM3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10P12HM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10P12HM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V10P12HM3_A/I, V10P12HM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 88.91 KB)
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V10P12HM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果820mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.27V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

900ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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