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V10P45HM3_A/H

V10P45HM3_A/H

僅供參考

型號 V10P45HM3_A/H
PNEDA編號 V10P45HM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10P45HM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10P45HM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V10P45HM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果570mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr800µA @ 45V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

165µA @ 60V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 150V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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