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V10PM12HM3_A/H

V10PM12HM3_A/H

僅供參考

型號 V10PM12HM3_A/H
PNEDA編號 V10PM12HM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V10PM12HM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V10PM12HM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V10PM12HM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)3.9A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果830mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

1170A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

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