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V12P6HM3_A/H

V12P6HM3_A/H

僅供參考

型號 V12P6HM3_A/H
PNEDA編號 V12P6HM3_A-H
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V12P6HM3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V12P6HM3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V12P6HM3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果610mV @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2.9mA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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30V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

445mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 10V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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