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V1PM10-M3/H

V1PM10-M3/H

僅供參考

型號 V1PM10-M3/H
PNEDA編號 V1PM10-M3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A MICROSMP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 83,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V1PM10-M3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V1PM10-M3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
V1PM10-M3/H, V1PM10-M3/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.08 KB)
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V1PM10-M3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 100V
電容@ Vr,F100pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AD
供應商設備包裝MicroSMP (DO-219AD)
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3300V

電容@ Vr,F

42pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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