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V20M100M-E3/4W

V20M100M-E3/4W

僅供參考

型號 V20M100M-E3/4W
PNEDA編號 V20M100M-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V20M100M-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V20M100M-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
V20M100M-E3/4W, V20M100M-E3/4W數據表 (總頁數: 5, 大小: 95.54 KB)
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V20M100M-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.02V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 100V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

900µA @ 30V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

工作溫度-結點

125°C (Max)

安裝類型

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