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V30120S-E3/4W

V30120S-E3/4W

僅供參考

型號 V30120S-E3/4W
PNEDA編號 V30120S-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V30120S-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V30120S-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V30120S-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

380mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®, SlimSMA™

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 120V

電容@ Vr,F

360pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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