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V35PW45-M3/I

V35PW45-M3/I

僅供參考

型號 V35PW45-M3/I
PNEDA編號 V35PW45-M3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V35PW45-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V35PW45-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V35PW45-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果620mV @ 35A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2.5mA @ 45V
電容@ Vr,F4230pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝SlimDPAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

10mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 25V

電容@ Vr,F

2pF @ 15V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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50V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

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