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VB20120S-E3/8W

VB20120S-E3/8W

僅供參考

型號 VB20120S-E3/8W
PNEDA編號 VB20120S-E3-8W
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VB20120S-E3/8W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VB20120S-E3/8W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VB20120S-E3/8W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.12V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr300µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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