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VB20200G-E3/8W

VB20200G-E3/8W

僅供參考

型號 VB20200G-E3/8W
PNEDA編號 VB20200G-E3-8W
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $10.6373
100 ---------- $10.1387
250 ---------- $9.6401
500 ---------- $9.1414
750 ---------- $8.7259
1,000 ---------- $8.3104
庫存 5,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VB20200G-E3/8W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VB20200G-E3/8W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
VB20200G-E3/8W, VB20200G-E3/8W數據表 (總頁數: 6, 大小: 211.35 KB)
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VB20200G-E3/8W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 150V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 4000V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

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