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VBT10200C-E3/4W

VBT10200C-E3/4W

僅供參考

型號 VBT10200C-E3/4W
PNEDA編號 VBT10200C-E3-4W
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 17,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT10200C-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT10200C-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
VBT10200C-E3/4W, VBT10200C-E3/4W數據表 (總頁數: 6, 大小: 196.07 KB)
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VBT10200C-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 200V
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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1.35V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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1.1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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