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VBT1080S-M3/8W

VBT1080S-M3/8W

僅供參考

型號 VBT1080S-M3/8W
PNEDA編號 VBT1080S-M3-8W
描述 DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VBT1080S-M3/8W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VBT1080S-M3/8W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VBT1080S-M3/8W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果810mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr600µA @ 80V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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1500V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

28ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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