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VF30120SG-E3/4W

VF30120SG-E3/4W

僅供參考

型號 VF30120SG-E3/4W
PNEDA編號 VF30120SG-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 30A ITO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VF30120SG-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VF30120SG-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VF30120SG-E3/4W, VF30120SG-E3/4W數據表 (總頁數: 6, 大小: 212.12 KB)
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VF30120SG-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.28V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供應商設備包裝ITO-220AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

310pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4.35ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

18A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 18A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

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