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VFT5200-E3/4W

VFT5200-E3/4W

僅供參考

型號 VFT5200-E3/4W
PNEDA編號 VFT5200-E3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VFT5200-E3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VFT5200-E3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VFT5200-E3/4W, VFT5200-E3/4W數據表 (總頁數: 6, 大小: 200.23 KB)
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VFT5200-E3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

5A

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520mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

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