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VI20120S-M3/4W

VI20120S-M3/4W

僅供參考

型號 VI20120S-M3/4W
PNEDA編號 VI20120S-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VI20120S-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VI20120S-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VI20120S-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.12V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr300µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262AA
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 78A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-203AA

工作溫度-結點

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120V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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600V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

70pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 50V

電容@ Vr,F

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