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VLZ56-GS18

VLZ56-GS18

僅供參考

型號 VLZ56-GS18
PNEDA編號 VLZ56-GS18
描述 DIODE ZENER 56.5V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VLZ56-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VLZ56-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
VLZ56-GS18, VLZ56-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 152.75 KB)
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VLZ56-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)56.5V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)100 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 50.4V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 7.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 121.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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功率-最大

200mW

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

1005

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5V

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