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VN0104N3-G-P013

VN0104N3-G-P013

僅供參考

型號 VN0104N3-G-P013
PNEDA編號 VN0104N3-G-P013
描述 MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
制造商 Microchip Technology
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庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VN0104N3-G-P013資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VN0104N3-G-P013
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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VN0104N3-G-P013規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds65pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1312pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1996pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3710pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 27A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 13.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1526pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

262W

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