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VN2460N3-G-P003

VN2460N3-G-P003

僅供參考

型號 VN2460N3-G-P003
PNEDA編號 VN2460N3-G-P003
描述 MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
制造商 Microchip Technology
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庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
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VN2460N3-G-P003資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VN2460N3-G-P003
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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VN2460N3-G-P003規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1845pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

550W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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功耗(最大值)

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