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VP2106N3-G

VP2106N3-G

僅供參考

型號 VP2106N3-G
PNEDA編號 VP2106N3-G
描述 MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 20,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VP2106N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VP2106N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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VP2106N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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