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VP2450N3-G

VP2450N3-G

僅供參考

型號 VP2450N3-G
PNEDA編號 VP2450N3-G
描述 MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 16,980
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 19 - 一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VP2450N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VP2450N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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VP2450N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)740mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

187.3pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14200pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO262-3

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 72µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4900pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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