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VQ1006P-2

VQ1006P-2

僅供參考

型號 VQ1006P-2
PNEDA編號 VQ1006P-2
描述 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VQ1006P-2資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VQ1006P-2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
VQ1006P-2, VQ1006P-2數據表 (總頁數: 5, 大小: 61.05 KB)
PDFVQ1006P-E3數據表 封面
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VQ1006P-2規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型4 N-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)90V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱-
供應商設備包裝14-DIP

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

功率-最大

1.36W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

7.8W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 15V

功率-最大

4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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