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VS-10ETF02STRRPBF

VS-10ETF02STRRPBF

僅供參考

型號 VS-10ETF02STRRPBF
PNEDA編號 VS-10ETF02STRRPBF
描述 DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF02STRRPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF02STRRPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF02STRRPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

R-6

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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