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VS-10ETF06-M3

VS-10ETF06-M3

僅供參考

型號 VS-10ETF06-M3
PNEDA編號 VS-10ETF06-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF06-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF06-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF06-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

85pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

1500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

95A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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